• Новини
  • Китай
  • Китайські та американські вчені розробили революційний графеновий напівпровідник
1326

Китайські та американські вчені розробили революційний графеновий напівпровідник

Китайські та американські вчені розробили революційний графеновий напівпровідник. Фото: Сіньхуа.
Китайські та американські вчені розробили революційний графеновий напівпровідник. Фото: Сіньхуа.

Спільна команда китайських та американських вчених створила напівпровідник, перемикач якого виготовлений із графену – вуглецевого матеріалу, електронний потенціал якого набагато перевершує потенціал кремнію. Про це повідомляє Інформаційна агенція Сіньхуа.

Графен, двомірний матеріал, що складається всього з одного шару атомів вуглецю, в даний час вважається найперспективнішим електронним матеріалом у цій галузі.

Результати дослідження, проведеного вченими з Тяньцзіньського університету та Технологічного інституту Джорджії (Georgia Institute of Technology), були опубліковані в журналі Nature.

Закон Мура, який стверджує, що обчислювальна потужність мікрочіпів подвоюється кожні два роки, останнім часом піддається сумніву через уповільнення темпів. Це уповільнення пов'язане з величезними труднощами, що виникли при спробі зменшити розмір чіпів на основі кремнію до двох нанометрів.

РЕКЛАМА

"Двовимірний графеновий напівпровідник може відкрити новий шлях для високопродуктивних електронних пристроїв, що виходять за рамки традиційних технологій на основі кремнію, віщуючи докорінні зміни в електроніці", – заявив Ма Лей, автор-кореспондент опублікованої статті з Тяньцзіньського університету.

Хто ми такі: Про нас та Контакти. Як ми пишемо новини та наші принципи: Редакційний кодекс. Ми старались, якщо вам сподобалось – задонатьте.

Якщо Ви помітили орфографічну помилку, напишіть нам.