Китайські та американські вчені розробили революційний графеновий напівпровідник

Спільна команда китайських та американських вчених створила напівпровідник, перемикач якого виготовлений із графену – вуглецевого матеріалу, електронний потенціал якого набагато перевершує потенціал кремнію. Про це повідомляє Інформаційна агенція Сіньхуа.

Графен, двомірний матеріал, що складається всього з одного шару атомів вуглецю, в даний час вважається найперспективнішим електронним матеріалом у цій галузі.

Результати дослідження, проведеного вченими з Тяньцзіньського університету та Технологічного інституту Джорджії (Georgia Institute of Technology), були опубліковані в журналі Nature.

Закон Мура, який стверджує, що обчислювальна потужність мікрочіпів подвоюється кожні два роки, останнім часом піддається сумніву через уповільнення темпів. Це уповільнення пов'язане з величезними труднощами, що виникли при спробі зменшити розмір чіпів на основі кремнію до двох нанометрів.

"Двовимірний графеновий напівпровідник може відкрити новий шлях для високопродуктивних електронних пристроїв, що виходять за рамки традиційних технологій на основі кремнію, віщуючи докорінні зміни в електроніці", – заявив Ма Лей, автор-кореспондент опублікованої статті з Тяньцзіньського університету.